Laitteisto · Muistiteknologia

SK Hynix esittelee HBM4-muistia, jonka kaistanleveys nousee yli 2 teratavuun sekunnissa

SK Hynix on julkistanut uuden HBM4-muistisuunnitelmansa, jossa kaistanleveys on yli 2048 gigatavua sekunnissa [1]. Teknologia hyödyntää Intelin EMIB-pakkaustekniikkaa [1].

SK Hynix on esitellyt uuden HBM4-muistiteknologiansa, jonka kaistanleveys on yli 2048 gigatavua sekunnissa [1]. Tämä vastaa noin 2 048 000 megatavua sekunnissa, mikä on merkittävä hyppy nykyisiin ratkaisuihin verrattuna [1].

HBM4-muistissa on 2048 IO-paikkaa ja sen IO-nopeus on enimmillään 8 gigabittiä sekunnissa [1]. Muistin kokonaiskapasiteetti on korkeimmillaan 36 gigatavua [1].

Taustalla on Hot Chips 2026 -konferenssi, jossa yrityksen varapresidentti Jaesik Lee esitteli uuden pakkausajattelun [1]. Nykyiset HBM-ratkaisut koostuvat 3D-pinotuista siruista, jotka on yhdistetty pohjapiiriin TSV-tekniikalla [1].

Uusi HBM4-standardi käyttää Intelin EMIB-teknologiaa ja se on suunniteltu toimimaan 2.5D-pakkaustekniikalla [1]. Pakkauskorkeus on 775 mikrometriä ja sirun koko on 12,8x11 millimetriä [1].

Teknologian kehityksessä on huomioitu myös lämmönhallinta, sillä uusi pakkaus on yli 14 prosenttia kestävämpi lämmölle kuin HBM3E [1]. Lisäksi virrankulutuksen tehokkuus paranee yli 40 prosenttia [1].

Lukijan kannattaa seurata HBM4-standardin kehitystä, sillä se tuo mukanaan merkittäviä muutoksia muistien fyysiseen kokoon ja lämmönhallintaan [1]. Hybrid Bonding -tekniikka on seuraava askel, jolla pyritään ylittämään 16-kerroksisen pinon rajat [1].

Toimituksen huomautus: tätä tietoa ei saatu vahvistettua ensisijaislähteestä. Se on raportoitu sellaisena kuin IT Zhi Jia (zh) sen kertoo.